Оптоволоконный лазерный диодный модуль 1550 нм/1310 нм DFB/FP + PIN WDM

Параметр

Символ

Мин.

Макс.

Блок

Условие для испытаний

Температура хранения

T_St

-40

+ 100

°C

-

Рабочая температура

T_Op

-40

+ 85

°C

-

Обратное напряжение

V_R

2

V

По часовой стрелке

Температура пайки/времени

260/10

°C/S

-

Параметр

Символ

Мин.

Тип.

Макс.

Блок

Условие для испытаний

Центр волны

И Лямбда-зонд; c

1290

1310

1330

Метрический номер

Пороговый ток

Примечание

-

5

15

MA

1310nm, 25 °C

Спектральная ширина

И Лямбда-зонд;

-

1

2

Метрический номер

CW, Ith + 20 мА

Выходная мощность

P

-

2,0

3,0

Масса нетто

CW, Ith + 20 мА, 1310 нм

Рабочее напряжение

Vop

-

1,1

1,5

V

CW, Ith + 20 мА

Время подъема/падения *

Защитный чехол для мобильного телефона/Tf

-

0,3

0,7

NS

CW, Ith + 20 мА

Контролировать ток

Обмен мгновенными сообщениями

0,1

0,7

-

MA

CW, Ith + 20 мА

Оптической изоляцией

Iso

30

-

-

ДБ

-

Погрешность трекинга

ER

-1,0

1,0

ДБ

Im Hold Po = 1 мВт, 25 °C

CW, Tc =-45°Cto + 85 °C

Полоса модуляции

BW

1,25

-

-

ГГц

Po = 2 мВт

Относительная интенсивность шума

RIN

-

-135

-

ДБм/Гц

CW, 2 mw, 50 MHz ~ 1000 MHz

Третий-заказ интермодуляции

IMD3

-

-60

-

DBc

2, камень, 0dBm