2SJ55 J55 2SK175 K175 транзистор
US $0.50
Транзисторов SI7119DN-TI-GE3 МОП-200V Vds 20V ВГС PowerPAK 1212-8
- Категория: Transistors >>>
- Поставщик: Shenzhen,All,True,Tech,Electronic,Co.,Ltd.
Поделиться:
Описание и отзывы
Трекер стоимости
| Месяц | Минимальная цена | Макс. стоимость |
|---|---|---|
| Aug-16-2025 | 222.94 $* | 226.42 $* |
| Jul-16-2025 | 180.66 $* | 184.38 $* |
| Jun-16-2025 | 219.14 $* | 223.76 $* |
| May-16-2025 | 217.49 $* | 221.4 $* |
| Apr-16-2025 | 173.89 $* | 176.19 $* |
| Mar-16-2025 | 214.60 $* | 218.12 $* |
| Feb-16-2025 | 212.34 $* | 216.36 $* |
| Jan-16-2025 | 210.16 $* | 214.30 $* |
Характеристики
Характеристики
| Напряжение: | NA |
| Номинальный ток (Ампер): | NA |
| Полевых транзисторов типа: | na |
| Ток-ворота для утечки анода (Igao): | NA |
| Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic: | na |
| Отсек коллектора тока (макс.): | na |
| Доступны IGBT: | NA |
| Применения: | Power |
| NTC термистор: | NA |
| Сопротивление-RDS (ВКЛ): | NA |
| Способ Монтажа: | na |
| Основание резистора-излучателя (R2): | na |
| Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.): | an |
| Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C: | 20A |
| Тип корпуса: | na |
| Входная емкость (Cies) @ Vce: | NA |
| Рабочая Температура: | na |
| Тип упаковки: | MOSFET Transistor |
| Частота-Переход: | na |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce: | na |
| Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: | 210nC @ 10V |
| Мощность макс: | na |
| Модели: | SI7119DN-TI-GE3 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 70mOhm @ 12A,10V |
| Доступные методы: | Техническое описание |
| Применение: | MOSFET драйвер |
| Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.): | NA |
| Тип Поставщика: | Розничная торговля |
| Тип: | MOSFET Transistor |
| Смещение напряжения (Vt): | NA |
| Напряжение-выход: | NA |
| Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds: | 4200pF @ 25V |
| Ток слива (Id)-макс: | NA |
| Слив в исходное напряжение (Vdss): | na |
| Наименование: | vis |
| Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0): | NA |
| Отключение напряжения (VGS off) @ Id: | NA |
| Пробой напряжения (V (BR) GSS): | AN |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250uA |
| Vgs (макс): | NA |
| Ток-долина (Iv): | NA |
| Power-выходная мощность: | NA |
| Напряжение-номинальное: | NA |
| Коллектор тока (Ic) (макс): | na |
| Частота: | NA |
| Полевого транзистора характеристика: | na |
| 品名: | MOSFET Transistor |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | NA |
| Входной сигнал: | NA |
| Происхождение товара: | Китай |
| Коэффициент шума: | NA |
| d/c: | 21+ |
| В настоящее время-Peak: | NA |
| Резистор-основание (R1): | na |
| Информация об упаковке: | new reel=3000pcs |
| продажи Единиц: | Single item |
| одноместный размер пакета: | 0.1X0.1X0.1 cm |
| одноместный полная масса: | 0.001 KG |
Похожие товары
(Мощный транзистор MOSFET) FQP8P10
US $0.10
(100% Новинка и оригинал) транзистор clo18a
US $0.10-$10.00
Данные ресурс не является интернет-магазином, а лишь содержит ссылки на международную торговую площадку Alibaba.com